小型坩埚熔炼炉igbt的均压和均流措施

在逆变桥和整流桥中，由于IGBT设备容量大、输出电压高，加上目前生产的IGBT耐压和额定电流有限，使单个元件达不到要求，需要用多个元件串联或并联组成桥臂，以达到所需的电压、电流要求，这就需要考虑元件间的均压和均流问题。

(1)在小坩埚熔炉中，将可控硅的额定正向阻断峰值电压和反向阻断峰值电压串联时，应采用串联连接。

参与串联的各元件J必须是同一种型号，尽可能选择具有正向漏电特性和反向漏电特性的元件，如果能保证控制极触发特性的一致性更好。还要采取均压措施。

在小型坩埚熔炉中，SCR串联串联时，需进行降压运行，即实际工作电压小于串联额定反峰压之和的90%。另外，元件串联后，对控制极的触发脉冲要求增加，要求串联的IGBT的启动时间间隔要小。所以脉冲前端要陡峭(在1~2微秒内)，触发功率要大。

(2)当元件并联某一元件的额定正向平均电流不能满足要求时，应采用并联连接。参与并联的各元件的前向导通压降和触发特性应尽可能保持一致。

元器件在并联后应采取均流措施，可在各元件串联电阻或电感后再并联，也可阻地采用均流电抗器。对于中频设备，采用套磁环(等效均匀扰动法)较为方便。

分流器通过分流器后，总的工作电流应该不太大，不能超过80%的干元件额定电流之和，要求触发脉冲源内阻小，脉宽不能太陡。