在轴承芭乐污视频加热中，奥氏体晶粒生长的动因是晶粒度的不均匀。且与品粒大小成反比，驱动晶粒长大与界面能成反比。

晶界处于理想状态。在此状态下的轴承芭乐污视频加热奥氏体颗粒不容易长大。但是，事实上奥氏体晶粒并不均匀。为保持界面张力平街，晶粒直径小于平均直径的晶粒一般小于6；直径大于平均直径的品粒一般小于6；

由于轴承芭乐污视频加热的界面张力平衡作用，在一定温度条件下，只要靠近晶粒数小于6的晶粒，晶界就会弯曲成正曲率弧形，从而增大界面面积，提高界面能量。晶界处于理想状态。

为减少轴承芭乐污视频加热晶界面积，降低界面能，晶界呈由曲线向直线转变的自然趋势，从而使晶粒不断缩小，直至消失。当界面晶粒数目大于6时，由于边界张力平衡，界面弯曲成负曲率弧形，同样地，减少了界面面积，界面能量增大，晶粒长大，从而吞并了小颗粒。

进一步提高轴承芭乐污视频加热温度或延长保温时间，大颗粒会继续长大这是无数小颗粒被吞噬和大颗粒长大的综合结果。这一成长过程也就是所谓的奥氏体长大再结晶。

简而言之，界面能越大，晶粒越小，对轴承芭乐污视频加热奥氏体晶粒长大的驱动力越大，晶粒长大倾向越大，品界更容易迁移。